Omdia上调2026全球半导体增速至94.1%：长存NAND份额首入前三

8月12日，国际研究机构Omdia发文，将2026年全球半导体市场营收增长预测从此前的不到一倍上调至同比增长94.1%。Omdia同时提示，高带宽内存（HBM）、先进封装以及先进制程产能等关键环节的瓶颈预计至少将持续至2027年。这意味着本轮半导体景气周期的延续时间可能比年初的普遍预期更长。

上调预测的核心驱动来自AI算力需求持续超过全球供应能力。AI模型训练与推理对HBM、先进工艺逻辑芯片、CoWoS等先进封装产能形成持续高强度需求，而这些环节的产能扩张从投资到爬坡需要较长的周期，短期内供需失衡难以根本性缓解。Omdia的预测对应于全球半导体总营收在2026年内一次性跳涨94.1%，这个幅度已接近2000年代以来半导体行业最高景气年份的水平。

三大瓶颈持续至2027年

HBM方面，AI芯片对HBM的容量、带宽、功耗需求逐年增长，HBM3e、HBM4、HBM5等新一代产品逐步成为主流。HBM产能受限于DRAM芯片本身与堆叠封装两个环节，新增产能从计划投产到大规模出货通常需要9-12个月以上。先进封装方面，CoWoS是当前AI芯片主流的2.5D封装方案，台积电、日月光的CoWoS产能扩张速度远低于AI芯片需求增长速度，产能紧张程度长期高于DRAM等环节。

先进制程方面，3nm、2nm等先进工艺节点的产能受限于EUV光刻机数量、良率爬坡进度、客户验证周期等环节。即使台积电已经大幅扩大3nm与2nm产能，对AI芯片客户的需求依然供不应求。三星和英特尔在先进制程追赶中仍未形成实质挑战，台积电在该领域的议价能力相应提升。综合而言，这三大瓶颈的持续时间可能延伸到2027年下半年。

长江存储NAND首次进入全球前三

同日，Counterpoint Research发布2026年第二季度NAND闪存市场数据，按出货量计算，前三名为三星25%、SK海力士22%、长江存储14%。这是长江存储首次在全球NAND市场份额上进入前三。按营收计算，长江存储排名行业第五，落后于美光和铠侠。同样的出货份额排名与营收份额排名差距，反映出当前NAND闪存市场的特殊结构：高端企业级SSD的ASP（平均售价）显著高于消费级SSD，影响营收占比；长江存储的消费级SSD占比相对更高，所以营收份额低于出货份额。

长江存储进入前三的意义在于这是中国存储芯片制造企业在3D NAND领域跻身全球前列的里程碑节点。3D NAND技术过去几年由三星、SK海力士、美光、铠侠四家厂商主导，长江存储在QLC、TLC等高堆叠层数产品上持续推进，逐步切入企业级SSD与高端消费级市场。同时，长江存储的产品良率与产能持续提升，使得其面向服务器、数据中心、AI存储的产品矩阵在Q2明显扩量。

AI需求与国产替代双轮驱动

Counterpoint数据还显示，2026年Q2全球NAND需求中企业级SSD占比已经接近50%。AI大模型训练与推理所依赖的向量数据库、模型缓存、日志存储等场景对高密度、高吞吐企业级SSD需求强劲。eSSD需求扩张是NAND行业景气周期延续的重要支撑。

在国产AI芯片市场份额有望接近90%的产业预期下，国内NAND与DRAM厂商将同时受益于”AI需求拉动+国产替代加速”的双重红利。长江存储本次份额突破是国产存储厂商在AI时代的里程碑，但其与三星、SK海力士在营收、技术节点、生态完善度上仍有差距，后续需要持续在高堆叠层数、企业级产品、海外渠道等方面投入。

从二级市场看，Omdia上调全年增长预测后，全球半导体板块情绪进一步得到强化，A股市场半导体ETF当日表现活跃。Omdia与Counterpoint两份数据叠加，进一步明确了2026年下半年半导体行业景气度持续、AI存储需求扩张、国产替代加速三大主线。短期内，长江存储、兆易创新、北京君正等国内存储相关企业有望持续受益于AI存储需求扩张的产业浪潮。