SK海力士董事长为HBM涨价道歉，预警明年内存最严重短缺

SK海力士董事长崔泰源在近期行业会议上为高带宽内存（HBM）价格涨势过快公开致歉，并发出严厉警告：2027年可能成为内存行业历史上供应缺口最严重的一年，甚至引发全球性芯片通胀。

客户需求翻倍推高HBM价格

崔泰源透露，HBM市场正处于严重的供不应求状态。客户提出的供货请求已接近原定需求的两倍，SK海力士的产能无法完全满足。供需失衡直接推高了HBM价格，涨幅之大让供应商自身也感到不安。崔泰源直言：“价格涨得太快了，对此我深表歉意。”罕见表态反映了供应商对市场过热节奏的警惕。

HBM是AI加速器的关键配套芯片，用于处理大模型训练和推理中的海量数据。随着生成式AI应用从云端向终端扩散，HBM需求曲线陡峭上升。SK海力士目前是全球HBM市场的最大供应商，占据约50%以上的份额，产能分配直接左右全球AI芯片供应链的稳定性。

2027年或现最严重内存缺口

崔泰源预测，2027年将是内存行业供应缺口最大的一年。AI服务器对HBM的需求爆发式增长，而内存晶圆厂扩产周期长，从设备下单到量产通常需要18个月以上。即便SK海力士、三星电子和美光科技都在加紧扩产，短期内也难以填补供需鸿沟。崔泰源警告，这种缺口可能引发“芯片通胀”，即内存价格持续上涨，进而推高下游AI服务器、智能手机和PC的整机成本。

市场研究机构TrendForce预测，2026年HBM容量供给增长约32%，而AI服务器对存储的需求增速远超供给。供需差距在2027年可能进一步拉大。崔泰源还提到，AI智能体的使用量在五年内可能增长77倍，这将成为驱动内存需求的第二波浪潮。AI智能体能够自主执行任务，如自动化编程助手和智能客服，这些应用需要实时调用大模型，对内存带宽和容量的要求远超当前水平。

SK海力士赴美考察前端晶圆厂选址

为应对长期需求，SK海力士正加速全球产能布局。崔泰源透露，公司已经在美国进行了密集的前端晶圆厂选址考察。前端晶圆厂是芯片制造的核心环节，决定产能上限。目前SK海力士的主要生产基地在韩国利川和清州，但美国《芯片与科学法案》提供高达25%的投资税收抵免，吸引海外厂商在美设厂。崔泰源表示，美国选址考察已进入实质性阶段，预计将在未来数月内做出最终决定。

建厂动向与SK海力士的客户结构密切相关。英伟达、AMD等AI芯片设计公司总部均在美国，将前端产能贴近客户可缩短供应链响应时间，同时规避地缘政治风险。此前，台积电已在亚利桑那州建设晶圆厂，三星电子也在得克萨斯州泰勒市投资170亿美元建厂。SK海力士若落子美国，将成为首家在美生产HBM晶圆的存储厂商。

内存涨价传导至终端市场

HBM价格上涨已传导至整个内存市场。2026年下半年以来，DRAM现货价格持续攀升，HBM合约价涨幅更为显著。崔泰源认为，涨价趋势在2027年难以缓解，因为扩产需要时间，而需求不会放缓。他呼吁客户与供应链建立更长期的合作框架，以稳定价格预期。

对终端市场而言，内存涨价直接推高了智能手机和PC的整机物料成本。AI服务器制造商面临更严峻的成本压力，单台服务器需要搭载多颗HBM，内存成本占比大幅攀升。崔泰源的道歉和预警，是整个AI产业链供需失衡的缩影。SK海力士的扩产决定和选址行动，将在未来两年内深刻影响全球内存市场走向。