谦合益邦打造全球首款4层3D DRAM存算一体芯片并成功点亮

北京谦合益邦云信息技术有限公司自主研发的全球首款4层3D DRAM堆叠存算一体芯片成功回片并点亮。该芯片采用自研三维集成原生计算架构与3D DRAM堆叠技术，实现4层芯片垂直方向高密度集成。

三维集成原生计算架构

该芯片通过计算与存储单元三维空间深度融合，突破传统内存墙瓶颈。在数据访存方面，数据访存带宽提升十倍，访存功耗与延迟降低十倍。传统计算架构中，计算单元与存储单元分离，数据需要在处理器与存储器之间频繁搬运，形成内存墙瓶颈。谦合益邦的三维集成原生计算架构将计算与存储单元在垂直方向上进行三维空间深度融合，使计算能够在更靠近数据存储的位置完成，减少数据搬运距离和次数。这一架构设计直接作用于数据访存路径，通过缩短物理距离和优化数据流动方式，实现带宽提升一个数量级，同时访存功耗和延时降低一个数量级。4层芯片垂直方向高密度集成意味着在相同封装面积内可容纳更多存储与计算资源，为高带宽、低功耗场景提供硬件基础。

3D DRAM堆叠技术

3D DRAM堆叠技术是该芯片实现4层垂直集成的关键。与传统的平面排布方式不同，3D堆叠将多层DRAM在垂直方向上进行高密度集成，通过层间互连实现数据传输。谦合益邦在该芯片中实现4层芯片垂直方向高密度集成，这一层数在存算一体芯片领域属于首次。堆叠结构使存储容量与计算密度在有限空间内得到提升，同时缩短层间数据通路，配合三维集成原生计算架构共同作用于访存性能改善。芯片成功回片并点亮，表明4层3D DRAM堆叠结构在制造和基础功能验证层面已经走通，为后续测试和优化提供实物基础。

超20亿元B轮融资

谦合益邦完成超20亿元B轮融资，投资方包括网易有道与中国移动链长基金。超20亿元B轮融资的完成，为谦合益邦在3D DRAM堆叠存算一体芯片方向的研发和产业化提供资金支持。中国移动链长基金作为投资方之一参与本轮融资，反映出产业资本对该技术方向的关注。融资资金可用于芯片后续测试验证、工艺优化以及团队扩充等环节。谦合益邦在完成全球首款4层3D DRAM堆叠存算一体芯片回片点亮的同时获得超20亿元B轮融资，显示其在技术验证与资本层面均取得阶段性进展。